2SB734 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SB734
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 23
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора:
SP8
Аналоги (замена) для 2SB734
2SB734 - технические параметры
9.4. Size:31K hitachi
2sb738 2sb739.pdf 

2SB738, 2SB739 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD787 and 2SD788 Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SB738, 2SB739 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SB738 2SB739 Unit Collector to base voltage VCBO 20 20 V Collector to emitter voltage VCEO 16 20 V Emitter to base v
9.6. Size:1155K kexin
2sb736a.pdf 

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB736A SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE 200(TYP) Complimentary to 2SD780A. 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter
9.7. Size:1127K kexin
2sb736.pdf 

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB736 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE 200(TYP) Complimentary to 2SD780. 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter V
9.8. Size:187K inchange semiconductor
2sb731.pdf 

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB731 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector to Emitter Saturation Voltage V = -0.6V(Max.)@I = -1A CE(sat) C DC Current Gain- h = 135-600@I = -0.1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed fo
Другие транзисторы... 2SB724
, 2SB725
, 2SB726
, 2SB727
, 2SB727K
, 2SB73
, 2SB731
, 2SB733
, BD222
, 2SB736
, 2SB736A
, 2SB736AR
, 2SB736BW1
, 2SB736BW2
, 2SB736BW3
, 2SB736BW4
, 2SB736BW5
.