2SB756 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SB756 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB756 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: MT-200

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SB756

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

9.1. Size:98K toshiba
2sb754.pdf pdf_icon

9.2. Size:104K panasonic
2sb751.pdf pdf_icon

9.3. Size:117K panasonic
2sb759.pdf pdf_icon

9.4. Size:516K no
2sb755.pdf pdf_icon

4.3 MAX I 300 I I -10 I I loo -8 10 -4 5 I- 3 I-201 I I -0.03 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -2 I -8 -6 25 75 100 125 175 200