2SB845 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SB845 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB845
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналоги (замена) для 2SB845

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB845 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:152K  jmnic
2sb849.pdfpdf_icon

2SB845

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec

 9.2. Size:105K  inchange semiconductor
2sb849a.pdfpdf_icon

2SB845

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 9.3. Size:192K  inchange semiconductor
2sb848.pdfpdf_icon

2SB845

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB848DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:122K  inchange semiconductor
2sb849.pdfpdf_icon

2SB845

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

Другие транзисторы... 2SB840 , 2SB840L , 2SB841 , 2SB841L , 2SB842 , 2SB842L , 2SB843 , 2SB844 , 2N3906 , 2SB846 , 2SB848 , 2SB849 , 2SB849A , 2SB85 , 2SB850 , 2SB850A , 2SB851 .

History: 2SD363 | CHDTD123TKGP | CHFMG6GP | CHDTC124XEGP | CHT2222TGP | CHEMB6GP | SRC1219U

 

 
Back to Top

 


 
.