Биполярный транзистор 2SB849
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB849
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 340
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
TO218
Аналоги (замена) для 2SB849
2SB849
Datasheet (PDF)
..1. Size:152K jmnic
2sb849.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec
..2. Size:122K inchange semiconductor
2sb849.pdf Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE
0.1. Size:105K inchange semiconductor
2sb849a.pdf Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU
9.1. Size:192K inchange semiconductor
2sb848.pdf INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB848DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETE
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.