2SB849A - описание и поиск аналогов

 

2SB849A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB849A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 130 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 340 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SB849A

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB849A даташит

 ..1. Size:105K  inchange semiconductor
 2sb849a.pdf pdf_icon

2SB849A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 8.1. Size:152K  jmnic
 2sb849.pdf pdf_icon

2SB849A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collec

 8.2. Size:122K  inchange semiconductor
 2sb849.pdf pdf_icon

2SB849A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

 9.1. Size:192K  inchange semiconductor
 2sb848.pdf pdf_icon

2SB849A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB848 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB842 , 2SB842L , 2SB843 , 2SB844 , 2SB845 , 2SB846 , 2SB848 , 2SB849 , BC557 , 2SB85 , 2SB850 , 2SB850A , 2SB851 , 2SB852 , 2SB852UA , 2SB852UB , 2SB853 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.