Справочник транзисторов. 2SB849A

 

Биполярный транзистор 2SB849A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB849A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 340 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO218
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB849A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  inchange semiconductor
 2sb849a.pdf pdf_icon

2SB849A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 8.1. Size:152K  jmnic
 2sb849.pdf pdf_icon

2SB849A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec

 8.2. Size:122K  inchange semiconductor
 2sb849.pdf pdf_icon

2SB849A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

 9.1. Size:192K  inchange semiconductor
 2sb848.pdf pdf_icon

2SB849A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB848DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB842 , 2SB842L , 2SB843 , 2SB844 , 2SB845 , 2SB846 , 2SB848 , 2SB849 , TIP122 , 2SB85 , 2SB850 , 2SB850A , 2SB851 , 2SB852 , 2SB852UA , 2SB852UB , 2SB853 .

History: DTA144TE | TSC5401CT | UN411H

 

 
Back to Top

 


 
.