2SB930 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SB930 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB930
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SB930

 

2SB930 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  panasonic
2sb930.pdfpdf_icon

2SB930

Power Transistors 2SB930, 2SB930A Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm 8.5 0.2 3.4 0.3 6.0 0.5 1.0 0.1 For power amplification Complementary to 2SD1253 and 2SD1253A Features 1.5max. 1.1max. High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 0.8 0.1 0.5max. N type package enabling direct solder

 ..2. Size:1124K  kexin
2sb930.pdfpdf_icon

2SB930

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB930 TO-252 Unit mm Features +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 High forward current transfer ratio hFE 0.50 -0.7 which has satisfactory linearity Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Complementary to 2SD1253 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1 Base 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2 Co

 0.1. Size:1128K  kexin
2sb930a.pdfpdf_icon

2SB930

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB930A TO-252 Unit mm Features +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 High forward current transfer ratio hFE 0.50 -0.7 which has satisfactory linearity Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Complementary to 2SD1253A 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1 Base 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2

 9.1. Size:57K  panasonic
2sb933.pdfpdf_icon

2SB930

Power Transistors 2SB933 Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm 8.5 0.2 3.4 0.3 For power switching 6.0 0.5 1.0 0.1 Complementary to 2SD1256 Features 1.5max. 1.1max. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 0.8 0.1 0.5max. Large collector current IC 2.54 0.3 N type package enabling direct sold

Другие транзисторы... 2SB927S , 2SB927T , 2SB927U , 2SB928 , 2SB928A , 2SB929 , 2SB929A , 2SB93 , TIP142 , 2SB930A , 2SB931 , 2SB932 , 2SB933 , 2SB934 , 2SB935 , 2SB935A , 2SB936 .

History: BC327BP | RN1965CT | PMBT3906MB | GT703D | 4SDG110K | MUN2230LT2

 

 
Back to Top

 


 
.