Справочник транзисторов. 2SB930

 

Биполярный транзистор 2SB930 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB930
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB930 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  panasonic
2sb930.pdfpdf_icon

2SB930

Power Transistors2SB930, 2SB930ASilicon PNP epitaxial planar type Unit: mm8.5 0.2 3.4 0.36.0 0.5 1.0 0.1For power amplificationComplementary to 2SD1253 and 2SD1253AFeatures1.5max. 1.1max.High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearityLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)0.8 0.1 0.5max.N type package enabling direct solder

 ..2. Size:1124K  kexin
2sb930.pdfpdf_icon

2SB930

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB930TO-252Unit: mm Features+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.8 High forward current transfer ratio hFE 0.50 -0.7 which has satisfactory linearity Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Complementary to 2SD12530.127+0.10.80-0.1max+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Co

 0.1. Size:1128K  kexin
2sb930a.pdfpdf_icon

2SB930

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB930ATO-252Unit: mm Features+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.8 High forward current transfer ratio hFE 0.50 -0.7 which has satisfactory linearity Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Complementary to 2SD1253A0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152

 9.1. Size:57K  panasonic
2sb933.pdfpdf_icon

2SB930

Power Transistors2SB933Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mm8.5 0.2 3.4 0.3For power switching6.0 0.5 1.0 0.1Complementary to 2SD1256Features1.5max. 1.1max.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE0.8 0.1 0.5max.Large collector current IC2.54 0.3N type package enabling direct sold

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BCW77 | DTC143ZET1G | 2SD1805G | D33J25 | BFQ268 | D39C1 | FHT5401-ME

 

 
Back to Top

 


 
.