Справочник транзисторов. 2SB999

 

Биполярный транзистор 2SB999 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB999
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB999 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb996.pdf pdf_icon

2SB999

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Recommended for 20~25W high-fidelity audio frequencyamplifier output stage.ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb992.pdf pdf_icon

2SB999

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1362Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.3. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb993.pdf pdf_icon

2SB999

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1363Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.4. Size:186K  inchange semiconductor
 2sb991.pdf pdf_icon

2SB999

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB991DESCRIPTIONCollector-Emitter BreakdownVoltage-: V = -180V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0(Max.) @I = -0.5ACE(sat) CWide area of safe operationGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAdudio frequen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DG2413K | RT3YB7M | 2SA815 | 2SA1706T-AN | 2SA795A | BC848CW-G

 

 
Back to Top

 


 
.