Справочник транзисторов. 2SC2316O

 

Биполярный транзистор 2SC2316O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2316O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC2316O

 

 

2SC2316O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:72K  sanken-ele
2sc2315 2sc2316.pdf

2SC2316O

 7.2. Size:184K  inchange semiconductor
2sc2316.pdf

2SC2316O
2SC2316O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 8.1. Size:85K  sanyo
2sc2314.pdf

2SC2316O
2SC2316O

 8.2. Size:41K  hitachi
2sc2310 2sc458.pdf

2SC2316O
2SC2316O

2SC458 (LG), 2SC2310Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032OutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC458 (LG), 2SC2310Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 UnitCollector to base voltage VCBO 30 55 VCollector to emitter voltage VCEO 30 50 VEmit

 8.3. Size:194K  inchange semiconductor
2sc2314.pdf

2SC2316O
2SC2316O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 75V(Min) ;R =150CER BECollector Current-:I =1.5ACLow Saturation Voltage: V =0.6V(MAX)@ IC=0.5ACE(sat)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top