2SC2358 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC2358 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2358 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC2358

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC2358 даташит

..1. Size:177K inchange semiconductor
2sc2358.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2358 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1000 V CBO

8.1. Size:171K nec
2sc2351 2sc2149 2sc4092 ne02133 ne02135 ne02139.pdf pdf_icon

NEC's NPN SILICON HIGH NE021 FREQUENCY TRANSISTOR SERIES FEATURES HIGH INSERTION GAIN 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression DESCRIPTION 00 (CHIP) 07/07B NEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco- nomical solutions to wide ranges of amplifier a

8.2. Size:36K nec
2sc2352.pdf pdf_icon