2SC2581 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2581  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2581

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2581 даташит

 ..1. Size:25K  wingshing
 2sc2581.pdf pdf_icon

2SC2581

2SC2581 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1106 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 C C) C C Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO 140 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 10 A Collecto

 ..2. Size:146K  jmnic
 2sc2581.pdf pdf_icon

2SC2581

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2581 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1106 High power dissipation High current capability APPLICATIONS Audio power amplifier DC-DC converter PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Abs

 ..3. Size:171K  cn sptech
 2sc2581.pdf pdf_icon

2SC2581

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC2581 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Power Dissipation Complement to Type 2SA1106 APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage

 ..4. Size:196K  inchange semiconductor
 2sc2581.pdf pdf_icon

2SC2581

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2581 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Power Dissipation Complement to Type 2SA1106 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2573, 2SC2575, 2SC2575L, 2SC2577, 2SC2578, 2SC2579, 2SC258, 2SC2580, BDT88, 2SC2582, 2SC2584, 2SC2586, 2SC2587, 2SC2587A, 2SC2588, 2SC2588A, 2SC2589