Справочник транзисторов. 2SC2788

 

Биполярный транзистор 2SC2788 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2788
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SC2788

 

 

2SC2788 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
2sc2788.pdf

2SC2788
2SC2788

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2788DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageCollector-Emitter Breakdown VoltageGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulators applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

 8.1. Size:137K  toshiba
2sc2782.pdf

2SC2788
2SC2788

2SC2782 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2782 VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm Output Power : Po = 80W (Min.) (f = 175MHz, VCC = 12.5V, Pi = 18W) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 36 VCollector-Emitter Voltage VCEO 16 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 20 A

 8.2. Size:117K  toshiba
2sc2783.pdf

2SC2788
2SC2788

 8.3. Size:281K  nec
2sc2785.pdf

2SC2788
2SC2788

 8.4. Size:209K  nec
2sc2780.pdf

2SC2788
2SC2788

 8.5. Size:185K  nec
2sc2784.pdf

2SC2788
2SC2788

 8.6. Size:286K  nec
2sc2786.pdf

2SC2788
2SC2788

 8.7. Size:228K  nec
2sc2787.pdf

2SC2788
2SC2788

 8.8. Size:494K  lge
2sc2785.pdf

2SC2788
2SC2788

2SC2785 TO-92S Transistor (NPN) 1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features High voltage VCEO:50V Excellent hFE Linearity:0.92 TYP hFE1 (0.1mA)/ hFE2 (1mA) Complementary to 2SA1175 PNP transistor MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Value UnitsParameter VCBO 60 VCollector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO

 8.9. Size:1171K  kexin
2sc2780.pdf

2SC2788
2SC2788

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2780SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=50mA Collector Emitter Voltage VCEO=140V Complementary to 2SA11730.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 140 Collector - Emitter Voltage VCEO

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top