2SC3029 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SC3029
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO128
2SC3029 Datasheet (PDF)
2sc3026.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic
2sc3025.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic
Другие транзисторы... 2SC3021 , 2SC3022 , 2SC3023 , 2SC3024 , 2SC3025 , 2SC3026 , 2SC3027 , 2SC3028 , 2N2222A , 2SC302M , 2SC303 , 2SC3030 , 2SC3031 , 2SC3032 , 2SC3033 , 2SC3034 , 2SC3035 .
History: CHEMG11GP | BDX36 | 2SC2977 | U2TA508 | 2N3999 | 2N1092 | BCM856BS-DG
History: CHEMG11GP | BDX36 | 2SC2977 | U2TA508 | 2N3999 | 2N1092 | BCM856BS-DG
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet


