2SC3029 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3029  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO128

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SC3029

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3029 даташит

 8.1. Size:37K  hitachi
 2sc3025 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC3029

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC3029

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sc3025.pdf pdf_icon

2SC3029

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3021, 2SC3022, 2SC3023, 2SC3024, 2SC3025, 2SC3026, 2SC3027, 2SC3028, 2N2222A, 2SC302M, 2SC303, 2SC3030, 2SC3031, 2SC3032, 2SC3033, 2SC3034, 2SC3035