Справочник транзисторов. 2SC3421O

 

Биполярный транзистор 2SC3421O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3421O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: ISO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3421O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:176K  toshiba
2sc3421.pdfpdf_icon

2SC3421O

 7.2. Size:292K  foshan
2sc3421 3da3421.pdfpdf_icon

2SC3421O

2SC3421(3DA3421) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : V 60-80W 2SA13583CA1358 CEO Features: High V ,suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier, complementary CEOto 2SA1358(3CA1358). /Absolute

 7.3. Size:217K  inchange semiconductor
2sc3421.pdfpdf_icon

2SC3421O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3421DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage: V = 120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1358Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.Suitable for driver of 60 to 80 Watts audio amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.