2SC3421O Todos los transistores

 

2SC3421O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3421O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: ISO126
 

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2SC3421O Datasheet (PDF)

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2SC3421O

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2SC3421O

2SC3421(3DA3421) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : V 60-80W 2SA13583CA1358 CEO Features: High V ,suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier, complementary CEOto 2SA1358(3CA1358). /Absolute

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2SC3421O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3421DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage: V = 120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1358Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.Suitable for driver of 60 to 80 Watts audio amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: 2SC515 | DMBT5551 | MMUN2232L | KT218E9 | BT2951 | 40306

 

 
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