Справочник транзисторов. 2SC3579

 

Биполярный транзистор 2SC3579 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3579
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SC3579

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3579 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:108K  sanyo
2sc3576.pdfpdf_icon

2SC3579

Ordering number:EN1799DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3576High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers,unit:mmmuting circuit.2033[2SC3576]Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo

 8.2. Size:136K  nec
2sc3570.pdfpdf_icon

2SC3579

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC3570NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such asswitching regulators, DC/DC converters, and high-frequency poweramplifiers.FEATURES Mold package that do

 8.3. Size:180K  nec
2sc3571.pdfpdf_icon

2SC3579

 8.4. Size:187K  nec
2sc3572.pdfpdf_icon

2SC3579

Другие транзисторы... 2SC3571 , 2SC3572 , 2SC3573 , 2SC3574 , 2SC3575 , 2SC3576 , 2SC3577 , 2SC3578 , TIP3055 , 2SC3580 , 2SC3581 , 2SC3582 , 2SC3583 , 2SC3584 , 2SC3585 , 2SC3586 , 2SC3587 .

History: 2SC3599

 

 
Back to Top

 


 
.