2SC3579 - описание и поиск аналогов

 

2SC3579. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3579

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC3579

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3579 даташит

 8.1. Size:108K  sanyo
2sc3576.pdfpdf_icon

2SC3579

Ordering number EN1799D NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3576 High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers, unit mm muting circuit. 2033 [2SC3576] Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo

 8.2. Size:136K  nec
2sc3570.pdfpdf_icon

2SC3579

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC3570 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURES Mold package that do

 8.3. Size:180K  nec
2sc3571.pdfpdf_icon

2SC3579

 8.4. Size:187K  nec
2sc3572.pdfpdf_icon

2SC3579

Другие транзисторы: 2SC3571, 2SC3572, 2SC3573, 2SC3574, 2SC3575, 2SC3576, 2SC3577, 2SC3578, TIP41, 2SC3580, 2SC3581, 2SC3582, 2SC3583, 2SC3584, 2SC3585, 2SC3586, 2SC3587

 

 

 

 

↑ Back to Top
.