2SC3669 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SC3669. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3669

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TOSH2

Аналоги (замена) для 2SC3669

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC3669 даташит

..1. Size:192K toshiba
2sc3669.pdf pdf_icon

..2. Size:270K utc
2sc3669.pdf pdf_icon

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3669 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage VCE(SAT)=0.5V (Max.) * High speed switching time TSTG=1.0 s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC3669L-x-AA3-R 2SC3669G-x-AA3-R SOT

8.1. Size:175K toshiba
2sc3666.pdf pdf_icon