2SC373G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SC373G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO92
2SC373G Datasheet (PDF)
2sc3736.pdf
DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC3736 HIGH SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The 2SC3736 is designed for power amplifier and high speed 4.5 0.1 switching applications. 1.6 0.2 1.5 0.1 FEATURES High speed, high voltage switching Low collector saturation voltage 2 Complementary to the
Другие транзисторы... 2SC3732 , 2SC3733 , 2SC3734 , 2SC3735 , 2SC3736 , 2SC3737 , 2SC3738 , 2SC3739 , 2N2907 , 2SC374 , 2SC3740 , 2SC3741 , 2SC3742 , 2SC3743 , 2SC3744 , 2SC3745 , 2SC3746 .
History: BC372-16 | RN2103ACT | MJD127G | 2SC3780F | 2SC3835 | 2SC3778E | 2SC3746
History: BC372-16 | RN2103ACT | MJD127G | 2SC3780F | 2SC3835 | 2SC3778E | 2SC3746
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet












