2SC4219 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4219  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4219

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4219 даташит

 ..1. Size:92K  sanyo
2sc4219.pdfpdf_icon

2SC4219

Ordering number EN2709 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4219 400V/4A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, high reliability unit mm (VCEO 400V). 2049C Fast switching speed (tf=0.1 s typ). [2SC4219] Wide ASO. 10.2 4.5 1.3 Adoption of MBIT process. Suitable for sets whose height is restricted.

 8.1. Size:290K  toshiba
2sc4215.pdfpdf_icon

2SC4219

2SC4215 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4215 High Frequency Amplifier Applications Unit mm FM, RF, MIX, IF Amplifier Applications Small reverse transfer capacitance Cre = 0.55 pF (typ.) Low noise figure NF = 2dB (typ.) (f = 100 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Co

 8.2. Size:274K  toshiba
2sc4213-a 2sc4213-b.pdfpdf_icon

2SC4219

2SC4213 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4213 For Muting and Switching Applications Unit mm High emitter-base voltage VEBO = 25 V (min) High reverse hFE Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = -2 V, IC = -4 mA) Low on resistance RON = 1 (typ.) (IB = 5 mA) High DC current gain hFE = 200 to 1200 Small package Absolute Maximum

 8.3. Size:289K  toshiba
2sc4213.pdfpdf_icon

2SC4219

2SC4213 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4213 For Muting and Switching Applications Unit mm High emitter-base voltage VEBO = 25 V (min) High reverse h Reverse h = 150 (typ.) (V = -2 V, I = -4 mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.) (I = 5 mA) ON B High DC current gain hFE = 200 1200 Small package Maximum Ra

Другие транзисторы: 2SC4211, 2SC4212, 2SC4213, 2SC4214, 2SC4215, 2SC4216, 2SC4217, 2SC4218, TIP127, 2SC4220, 2SC4221, 2SC4222, 2SC4223, 2SC4224, 2SC4229, 2SC423, 2SC4230