Биполярный транзистор 2SC4758 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4758
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 175 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: ISOWATT218
2SC4758 Datasheet (PDF)
2sc4758.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4758DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHorizontal deflection output for high resolution display.High speed switching power s
2sc4755 e.pdf
Transistor2SC4755Silicon NPN epitaxial planer typeFor high speed switchingUnit: mm2.1 0.10.425 1.25 0.1 0.425FeaturesHigh-speed switching. 1Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and3automatic insertion through the tape packing and the magazine2packing.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
2sc4755.pdf
Transistor2SC4755Silicon NPN epitaxial planer typeFor high speed switchingUnit: mm2.1 0.10.425 1.25 0.1 0.425FeaturesHigh-speed switching. 1Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and3automatic insertion through the tape packing and the magazine2packing.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
2sc4759.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4759DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHorizontal deflection output for high resolution display.High speed switching power s
2sc4757.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4757DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHorizontal deflection output for high resolution display.High speed switching power s
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050