2SC5132A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5132A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3PFM

 Аналоги (замена) для 2SC5132A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5132A даташит

 7.1. Size:23K  hitachi
2sc5132.pdfpdf_icon

2SC5132A

 8.2. Size:58K  hitachi
2sc5136.pdfpdf_icon

2SC5132A

2SC5136 Silicon NPN Epitaxial ADE-208-223 1st. Edition Application VHF/UHF wide band amplifier Features High gain bandwidth product fT = 3.8 GHz typ High gain, low noise figure PG = 11 dB typ, NF = 2.5 dB typ at f = 900 MHz Outline SMPAK 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector 2SC5136 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base v

 8.3. Size:47K  hitachi
2sc5138.pdfpdf_icon

2SC5132A

2SC5138 Silicon NPN Epitaxial ADE-208-225A (Z) 2nd. Edition Mar. 2001 Application VHF / UHF wide band amplifier Features High gain bandwidth product fT = 6 GHz typ High gain, low noise figure PG = 13 dB typ, NF = 1.8 dB typ at f = 900 MHz Outline SMPAK 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector Note Marking is YL . Attention This device is very sensitive to ele

Другие транзисторы: 2SC511O, 2SC511R, 2SC512, 2SC5120, 2SC512O, 2SC512R, 2SC513, 2SC5130, TIP35C, 2SC513O, 2SC513R, 2SC514, 2SC515, 2SC515A, 2SC516, 2SC516A, 2SC516N