2SC5251. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5251

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3PFM

 Аналоги (замена) для 2SC5251

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5251 даташит

 ..1. Size:35K  hitachi
2sc5251.pdfpdf_icon

2SC5251

2SC5251 Silicon NPN Triple Diffused Planar Preliminary Application Character display horizontal deflection output Features High breakdown voltage VCBO = 1500 V High speed switching tf = 0.2 sec (typ) Isolated package TO-3P FM (N) Outline TO-3PFM (N) 1. Base 2. Collector 3. Emitter 1 2 3 2SC5251 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Un

 8.1. Size:177K  toshiba
2sc5254.pdfpdf_icon

2SC5251

2SC5254 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5254 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.5dB (f = 2 GHz) High gain Gain = 8.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 15 V Collector-emitter voltage VCEO 7 V Emitter-base voltage VEBO 1

 8.2. Size:180K  toshiba
2sc5255.pdfpdf_icon

2SC5251

2SC5255 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5255 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.5dB (f = 2 GHz) High gain Gain = 8.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 15 V Collector-emitter voltage VCEO 7 V Emitter-base voltage VEBO 1

 8.3. Size:182K  toshiba
2sc5259.pdfpdf_icon

2SC5251

Другие транзисторы: 2SC523R, 2SC524, 2SC5249, 2SC524M, 2SC524O, 2SC524R, 2SC525, 2SC5250, 431, 2SC525O, 2SC525R, 2SC526, 2SC526M, 2SC527, 2SC5271, 2SC5273, 2SC528