Справочник транзисторов. 2SC533

 

Биполярный транзистор 2SC533 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC533
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SC533

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC533 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:335K  toshiba
2sc5339.pdfpdf_icon

2SC533

2SC5339 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5339 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR MEDIUM Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 5 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.2 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mo

 0.2. Size:185K  toshiba
2sc5331.pdfpdf_icon

2SC533

 0.3. Size:177K  toshiba
2sc5332.pdfpdf_icon

2SC533

 0.4. Size:51K  nec
2sc5338.pdfpdf_icon

2SC533

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC5338NPN SILICON RF TRANSISTOR FORHIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER4-PIN POWER MINIMOLDFEATURES High gain: S21e2 = 10 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz Low distortion, low voltage: IM2 = -55 dB TYP., IM3 = -76 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 50 mA, Vin = 105 dBV/75 4-pin power minimold package with improved gain

Другие транзисторы... 2SC529 , 2SC529A , 2SC53 , 2SC530 , 2SC530A , 2SC531 , 2SC531A , 2SC532 , C1815 , 2SC5333 , 2SC534 , 2SC535 , 2SC535P , 2SC536 , 2SC536KNP , 2SC536NP , 2SC536P .

History: 2N4032 | 2N2067B

 

 
Back to Top

 


 
.