2SC828 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC828  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC828

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC828 даташит

 ..1. Size:53K  no
 2sc828.pdf pdf_icon

2SC828

 9.1. Size:55K  panasonic
 2sc829.pdf pdf_icon

2SC828

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 9.2. Size:59K  panasonic
 2sc829 e.pdf pdf_icon

2SC828

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

Другие транзисторы: 2SC822, 2SC822Z, 2SC823, 2SC824, 2SC825, 2SC826, 2SC827, 2SC827T, D965, 2SC828A, 2SC829, 2SC829Z, 2SC83, 2SC830, 2SC830H, 2SC831, 2SC833