2G30. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2G30
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO1
Аналоги (замена) для 2G30
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2G30 даташит
dm2g300sh6a.pdf
DM2G300SH6A Aug. 2009 High Power NPT & Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and other applications where switching los
dm2g300sh6ne.pdf
D WTM D WTM DM2G300SH6NE DAWIN Electronics DAWIN Electronics Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors dri
dm2g300sh12a.pdf
Preliminary D WTM D WTM DM2G300SH12A DAWIN Electronics DAWIN Electronics Mar. 2008 High Power SPT+ & Lugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modul
Другие транзисторы: 2G226, 2G227, 2G228, 2G229, 2G230, 2G231, 2G240, 2G271, 2222A, 2G301, 2G302, 2G303, 2G304, 2G306, 2G308, 2G309, 2G319
History: 2G231
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100



