Биполярный транзистор 2G30 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2G30
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO1
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2G30 Datasheet (PDF)
dm2g300sh6a.pdf

DM2G300SH6AAug. 2009High Power NPT & Rugged Type IGBT ModuleDescription Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drivesand other applications where switching los
dm2g300sh6ne.pdf

D WTMD WTMDM2G300SH6NEDAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsJan. 2012High Power Rugged Type IGBT ModuleDescription Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 7DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors dri
dm2g300sh12a.pdf

PreliminaryD WTMD WTMDM2G300SH12ADAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsMar. 2008High Power SPT+ & Lugged Type IGBT ModuleDescriptionEquivalent Circuit and Package Equivalent Circuit and PackageDAWINS IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modul
Другие транзисторы... 2G226 , 2G227 , 2G228 , 2G229 , 2G230 , 2G231 , 2G240 , 2G271 , NJW0281G , 2G301 , 2G302 , 2G303 , 2G304 , 2G306 , 2G308 , 2G309 , 2G319 .
History: 2SC3005 | 2SA1480E | MUN5116DW1T1G | 2N4355 | 2SA909 | 2SC2959 | 2N1196
History: 2SC3005 | 2SA1480E | MUN5116DW1T1G | 2N4355 | 2SA909 | 2SC2959 | 2N1196



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100