2N21A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N21A  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO22

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N21A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N21A даташит

 0.1. Size:141K  ixys
 de475-102n21a.pdf pdf_icon

2N21A

DE475-102N21A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt VDSS = 1000 V Nanosecond Switching ID25 = 24 A 30MHz Maximum Frequency RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.45 TJ = 25 C to 150 C VDSS 1000 V PDC = 1800W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V T

Другие транзисторы: 2N2195BS, 2N2195S, 2N2196, 2N2196A, 2N2196B, 2N2197, 2N2198, 2N2199, 2N2222A, 2N22, 2N220, 2N2200, 2N2201, 2N2202, 2N2203, 2N2204, 2N2205