2N21A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N21A  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO22

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2N21A datasheet

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2N21A

DE475-102N21A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt VDSS = 1000 V Nanosecond Switching ID25 = 24 A 30MHz Maximum Frequency RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.45 TJ = 25 C to 150 C VDSS 1000 V PDC = 1800W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V T

Otros transistores... 2N2195BS, 2N2195S, 2N2196, 2N2196A, 2N2196B, 2N2197, 2N2198, 2N2199, A1015, 2N22, 2N220, 2N2200, 2N2201, 2N2202, 2N2203, 2N2204, 2N2205