2SD1050 - описание и поиск аналогов

 

2SD1050. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1050

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: MT-200

 Аналоги (замена) для 2SD1050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1050 даташит

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

2SD1050

 8.2. Size:113K  toshiba
 2sd1052a.pdf pdf_icon

2SD1050

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.3. Size:124K  rohm
 2sd1055 2sd1766.pdf pdf_icon

2SD1050

Transistors Medium Power Transistor (32V, 2A) 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 / 2SD1919 / 2SD1227M FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (96-217-B24) 256 2SD1766 /

 8.4. Size:44K  panasonic
 2sd1051 e.pdf pdf_icon

2SD1050

Transistor 2SD1051 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm Complementary to 2SB819 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Features High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. 0.85 0.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1047, 2SD1047O, 2SD1048, 2SD1048-6, 2SD1048-7, 2SD1048-8, 2SD1049, 2SD105, 2N3055, 2SD1051, 2SD1052, 2SD1052A, 2SD1053, 2SD1054, 2SD1055, 2SD1056, 2SD1059

 

 

 

 

↑ Back to Top
.