2SD1060Q - описание и поиск аналогов

 

2SD1060Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1060Q

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD1060Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1060Q даташит

 ..1. Size:174K  cn sptech
2sd1060q 2sd1060r 2sd1060s.pdfpdf_icon

2SD1060Q

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD1060 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.4V(Max) @I = 3.0A CE(sat) C Complement to Type 2SB824 APPLICATIONS Designed for relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general large-current switching application

 7.1. Size:55K  sanyo
2sd1060.pdfpdf_icon

2SD1060Q

Ordering number EN686J 2SB824 / 2SD1060 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB824 / 2SD1060 50V / 5A Switching Applications Applications Suitable for relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general large-current switching. Features Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)= (--)0.4V max / IC= (--)3A,

 7.2. Size:192K  onsemi
2sd1060.pdfpdf_icon

2SD1060Q

Ordering number EN686K 2SD1060 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 50V, 5A, Low VCE sat NPN TO-220-3L Applications Suitable for relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general large-current switching Features Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.3V max / IC=3A, IB= 0.3A Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Paramete

 7.3. Size:265K  utc
2sd1060.pdfpdf_icon

2SD1060Q

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1060 NPN SILICON TRANSISTOR NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR FEATURES * Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(SAT)=0.4V max/IC=3A, IB=0.3A ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD1060L-x-AB3-R 2SD1060G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2SD1060L-x-T60-K 2SD1060G-x-T6

Другие транзисторы: 2SD1052, 2SD1052A, 2SD1053, 2SD1054, 2SD1055, 2SD1056, 2SD1059, 2SD1060, BD140, 2SD1060R, 2SD1060S, 2SD1061, 2SD1061Q, 2SD1061R, 2SD1061S, 2SD1062, 2SD1062Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.