Справочник транзисторов. 2SD108

 

Биполярный транзистор 2SD108 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD108
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd108.pdf pdf_icon

2SD108

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108DESCRIPTIONHigh DC current gain-: h = 2000 (Min) @ I = 1AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V =80V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingHammer driversSeries and shunt regulatorAudio amplifi

 0.1. Size:111K  mospec
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD108

AAA

 0.2. Size:56K  no
 2sd1083.pdf pdf_icon

2SD108

 0.3. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD108

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 2000(Min.)@I = 2AFE CLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2S103 | 2SB433 | KT368A | GS9013G | 2N6539 | 2SA503Y | BU2515AX

 

 
Back to Top

 


 
.