2SD1566 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1566 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1566 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9000

Корпус транзистора: TO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD1566

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1566 даташит

..1. Size:199K inchange semiconductor
2sd1566.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1566 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 10A CE(sat) C Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current switching

8.1. Size:47K rohm
2sd1563a.pdf pdf_icon