Биполярный транзистор 2SD1609B Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD1609B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO126
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SD1609B Datasheet (PDF)
2sd1609.pdf

UTC 2SD1609 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * Low frequency high voltage amplifier 1TO-1261:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL MIN MAX UNITCollector-Base Voltage BVCBO 160 VCollector-Emitter Voltage BVCEO 160 VEmitter-Base Voltage BVEBO 5 VCollector Curre
2sd1609 2sd1610.pdf

2SD1609, 2SD1610Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SD1609 2SD1610 UnitCollector to base voltage VCBO 160 200 VCollector to emitter voltage VCEO 160 200 VEmitter to base voltage VEB
2sd1609.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1609DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 160V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedComplement to Type 2SB1109Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency and high-voltage amplifierapplica
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: FC108 | 2S167 | BC411 | GP140 | GT341A | BUV36A | 2PA1774M
History: FC108 | 2S167 | BC411 | GP140 | GT341A | BUV36A | 2PA1774M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet