2SD1680 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1680  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1680

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1680 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
2sd1680.pdfpdf_icon

2SD1680

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1680 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V = 330V(Min) (BR)CBO High Power Dissipation High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 8.1. Size:146K  sanyo
2sd1683.pdfpdf_icon

2SD1680

Ordering number 2063A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1143/2SD1683 50V/4A Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2042A [2SB1143/2SD1683] Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. B Base C C

 8.2. Size:60K  sanyo
2sb1143 2sd1683.pdfpdf_icon

2SD1680

Ordering number ENN2063A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1143/2SD1683 50V/4A Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2042B [2SB1143/2SD1683] Features 8.0 4.0 3.3 Adoption of FBET, MBIT processes. 1.0 1.0 Low saturation voltage. Large current capacity and

 8.3. Size:146K  sanyo
2sd1684.pdfpdf_icon

2SD1680

Ordering number 2041A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1144/2SD1684 100V/1.5A Switching Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET and MBIT processes. unit mm High breakdown voltage. 2042B Low saturation voltage. [2SB1144/2SD1684] Plastic-covered heat sink facilitating high-density mounting. 1 Emitter 2 Collector 3 Base ( ) 2

Другие транзисторы: 2SD1671, 2SD1672, 2SD1673, 2SD1676, 2SD1677, 2SD1678, 2SD1679, 2SD168, NJW0281G, 2SD1681, 2SD1681Q, 2SD1681R, 2SD1681S, 2SD1681T, 2SD1682, 2SD1682R, 2SD1682S