2SD1703 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1703  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1703

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1703 даташит

 8.1. Size:118K  1
2sd1700.pdfpdf_icon

2SD1703

 8.2. Size:197K  nec
2sd1702.pdfpdf_icon

2SD1703

 8.3. Size:60K  nec
2sd1701.pdfpdf_icon

2SD1703

 8.4. Size:93K  panasonic
2sd1707.pdfpdf_icon

2SD1703

Power Transistors 2SD1707 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For power switching 15.0 0.3 5.0 0.2 11.0 0.2 (3.2) Complementary to 2SB1156 Features 3.2 0.1 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Large collector current IC 2.0 0.2 2.0 0.1 Full-pack package which can be install

Другие транзисторы: 2SD1697, 2SD1698, 2SD1699, 2SD17, 2SD170, 2SD1700, 2SD1701, 2SD1702, BD140, 2SD1704, 2SD1705, 2SD1706, 2SD1707, 2SD1708, 2SD1709, 2SD170A, 2SD171