2SD1706 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1706 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1706 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD1706

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1706 даташит

..1. Size:174K panasonic
2sd1706.pdf pdf_icon

..2. Size:216K inchange semiconductor
2sd1706.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1706 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Collector Saturation Voltage- V = 0.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Complement to Type 2SB1155 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power switching applications

8.1. Size:118K 1
2sd1700.pdf pdf_icon