Биполярный транзистор 2SD1815T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1815T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO251
2SD1815T Datasheet (PDF)
2sb1215 2sd1815.pdf
Ordering number:ENN2539BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1215/2SD1815High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters, andunit:mmother general high-current switching applications.2045B[2SB1215/2SD1815]6.5Features2.35.00.54 Low collector-to-emitter saturation voltage. Exclle
2sd1815.pdf
Ordering number:EN2539BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1215/2SD1815High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters, andunit:mmother general high-current switching applications.2045B[2SB1215/2SD1815]Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Excllent linearity of hFE.
2sb1215 2sd1815.pdf
Ordering number : EN2539C2SB1215/2SD1815Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )100V, 3A, Low VCE sat PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applicationsFeatures Low collector to emitter saturation voltage Excllent linearity of hFE Small-sized package permittin
2sd1815.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SD1815 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage 1. BASE Excllent Linearity of hFE High fT 2. COLLECTOR Fast Switching Time 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise note)Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-
2sd1815.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD1815TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage Fast Switching Speed0.127+0.1 High fT.0.80-0.1max Complementary to 2SB1215+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154 .60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Rati
2sd1815.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1815DESCRIPTIONExcellent linearity of hFESmall and slim package making it easy to make 2SD1815/2SB1215-used set smallerLow collector-to-emitter saturation voltageHigh fTFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICAT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050