2SD1929. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD1929
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SD1929
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD1929 даташит
2sd1922.pdf
2SD1922 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier Outline TO-92MOD 2 3 ID 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SD1922 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 25 V Collector to emitter voltage VCEO 25 V Emitter to base voltage VEBO 6V Collector current IC 0.8 A Collector peak current ic (peak)
Другие транзисторы: 2SD1921, 2SD1922, 2SD1923, 2SD1924, 2SD1925, 2SD1926, 2SD1927, 2SD1928, C3198, 2SD193, 2SD1930, 2SD1931, 2SD1932, 2SD1933, 2SD1934, 2SD1935, 2SD1935-5
History: GS2017
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312




