Справочник транзисторов. 2SD1991

 

Биполярный транзистор 2SD1991 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1991
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: MT1
 

 Аналог (замена) для 2SD1991

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1991 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  1
2sd1991 2sd1991a.pdfpdf_icon

2SD1991

Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Mainten

 ..2. Size:49K  panasonic
2sd1991.pdfpdf_icon

2SD1991

Transistor2SD1991ASilicon NPN epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SB1320A6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.00.8FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).0.65 max.Allowing supply with the radial taping.+0.1 0.450.052.5 0.5 2.5 0.5Absolute Maximum Rati

 0.1. Size:54K  panasonic
2sd1991a e.pdfpdf_icon

2SD1991

Transistor2SD1991ASilicon NPN epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SB1320A6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.00.8FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).0.65 max.Allowing supply with the radial taping.+0.1 0.450.052.5 0.5 2.5 0.5Absolute Maximum Rati

 0.2. Size:355K  jiangsu
2sd1991a.pdfpdf_icon

2SD1991

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 2SD1991A TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES 2. COLLECTOR High Foward Current Transfer Ratio hFE 3. BASE Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat). Allowing Supply with the Radial Taping. MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter

Другие транзисторы... 2SD1986 , 2SD1987 , 2SD1988 , 2SD1989 , 2SD198A , 2SD198P , 2SD199 , 2SD1990 , BC546 , 2SD1992A , 2SD1993 , 2SD1994 , 2SD1995 , 2SD1996 , 2SD1997 , 2SD1998 , 2SD1999 .

 

 
Back to Top

 


 
.