2SD1991 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1991  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: MT1

 Аналоги (замена) для 2SD1991

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1991 даташит

 ..1. Size:332K  1
 2sd1991 2sd1991a.pdf pdf_icon

2SD1991

Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Mainten

 ..2. Size:49K  panasonic
 2sd1991.pdf pdf_icon

2SD1991

Transistor 2SD1991A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB1320A 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 0.65 max. Allowing supply with the radial taping. +0.1 0.45 0.05 2.5 0.5 2.5 0.5 Absolute Maximum Rati

 0.1. Size:54K  panasonic
 2sd1991a e.pdf pdf_icon

2SD1991

Transistor 2SD1991A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB1320A 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 0.65 max. Allowing supply with the radial taping. +0.1 0.45 0.05 2.5 0.5 2.5 0.5 Absolute Maximum Rati

 0.2. Size:355K  jiangsu
 2sd1991a.pdf pdf_icon

2SD1991

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 2SD1991A TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES 2. COLLECTOR High Foward Current Transfer Ratio hFE 3. BASE Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat). Allowing Supply with the Radial Taping. MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1986, 2SD1987, 2SD1988, 2SD1989, 2SD198A, 2SD198P, 2SD199, 2SD1990, 2SA1837, 2SD1992A, 2SD1993, 2SD1994, 2SD1995, 2SD1996, 2SD1997, 2SD1998, 2SD1999