Справочник транзисторов. 2SD341H

 

Биполярный транзистор 2SD341H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD341H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD341H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD341H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd343.pdf pdf_icon

2SD341H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD343DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose appli

 9.2. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd348.pdf pdf_icon

2SD341H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD348DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers and switching appl

 9.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd347.pdf pdf_icon

2SD341H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD347DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 3.0ACE(sat) CFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a

 9.4. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd345.pdf pdf_icon

2SD341H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD345DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 55V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD339 , 2SD339-1 , 2SD339-2 , 2SD34 , 2SD340 , 2SD340-1 , 2SD340-2 , 2SD341 , 2SD718 , 2SD342 , 2SD343 , 2SD344 , 2SD345 , 2SD346 , 2SD347 , 2SD348 , 2SD349 .

 

 
Back to Top

 


 
.