Справочник транзисторов. 2SD350

 

Биполярный транзистор 2SD350 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD350
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 22 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD350

 

 

2SD350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  inchange semiconductor
2sd350.pdf

2SD350
2SD350

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD350DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers and switching appl

 0.1. Size:147K  inchange semiconductor
2sd350a.pdf

2SD350
2SD350

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD350A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS For color TV horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:43K  no
2sd356.pdf

2SD350

 9.2. Size:42K  no
2sd352.pdf

2SD350

 9.3. Size:37K  no
2sd359.pdf

2SD350

 9.4. Size:30K  no
2sd355.pdf

2SD350

 9.5. Size:211K  inchange semiconductor
2sd357.pdf

2SD350
2SD350

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD357DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SB527Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N43 | BC846T

 

 
Back to Top