2SD350 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD350  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 22 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD350

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD350 даташит

 ..1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd350.pdf pdf_icon

2SD350

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD350 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers and switching appl

 0.1. Size:147K  inchange semiconductor
 2sd350a.pdf pdf_icon

2SD350

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD350A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS For color TV horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:43K  no
 2sd356.pdf pdf_icon

2SD350

 9.2. Size:42K  no
 2sd352.pdf pdf_icon

2SD350

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD343, 2SD344, 2SD345, 2SD346, 2SD347, 2SD348, 2SD349, 2SD35, 2SD718, 2SD350A, 2SD351, 2SD352, 2SD353, 2SD355, 2SD356, 2SD357, 2SD358