2SD357 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD357 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD357 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO220

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD357

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD357 даташит

..1. Size:211K inchange semiconductor
2sd357.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD357 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SB527 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF high power dirver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

9.1. Size:43K no
2sd356.pdf pdf_icon