Справочник транзисторов. 2SD357

 

Биполярный транзистор 2SD357 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD357
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD357

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD357 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
2sd357.pdfpdf_icon

2SD357

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD357DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SB527Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 9.1. Size:43K  no
2sd356.pdfpdf_icon

2SD357

 9.2. Size:42K  no
2sd352.pdfpdf_icon

2SD357

 9.3. Size:37K  no
2sd359.pdfpdf_icon

2SD357

Другие транзисторы... 2SD35 , 2SD350 , 2SD350A , 2SD351 , 2SD352 , 2SD353 , 2SD355 , 2SD356 , A940 , 2SD358 , 2SD359 , 2SD36 , 2SD360 , 2SD361 , 2SD362 , 2SD362N , 2SD362O .

 

 
Back to Top

 


 
.