Справочник транзисторов. 2SD386

 

Биполярный транзистор 2SD386 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD386
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 320
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD386 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
2sd386.pdfpdf_icon

2SD386

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD386DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 1.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV vertical deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 ..2. Size:125K  inchange semiconductor
2sd386 2sd386a.pdfpdf_icon

2SD386

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD386 2SD386A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage :VCBO=200V(min) APPLICATIONS For TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 0.1. Size:138K  sanyo
2sd386a.pdfpdf_icon

2SD386

 9.1. Size:41K  no
2sd380.pdfpdf_icon

2SD386

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC439 | DN050S | BC532 | ZT1482 | 2SC3966 | D38L6

 

 
Back to Top

 


 
.