Справочник транзисторов. 2SD425

 

Биполярный транзистор 2SD425 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD425
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD425 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd425.pdf pdf_icon

2SD425

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB555Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

 ..2. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

2SD425

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd427.pdf pdf_icon

2SD425

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 80W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB557Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 50W high-fidelity audio f

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd426.pdf pdf_icon

2SD425

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB556Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: GC122 | KSC2233 | D7ST4510 | 2N2270S | DDTC114YCA | 2N1175B | 3DD8

 

 
Back to Top

 


 
.