2SD579A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD579A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD579A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD579A даташит

 9.1. Size:169K  nec
 2sd571.pdf pdf_icon

2SD579A

 9.2. Size:20K  no
 2sd575.pdf pdf_icon

2SD579A

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
 2sd570.pdf pdf_icon

2SD579A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 0.6V(Max.)@I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.4. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd577.pdf pdf_icon

2SD579A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD577 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD574A, 2SD575, 2SD575L, 2SD576, 2SD577, 2SD578, 2SD578A, 2SD579, S9014, 2SD58, 2SD580, 2SD581, 2SD581A, 2SD582, 2SD582A, 2SD583, 2SD585