2SD629. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD629

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD629

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD629 даташит

 9.1. Size:71K  sanyo
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD629

 9.2. Size:113K  sanyo
 2sd621.pdf pdf_icon

2SD629

 9.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD629

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO V Coll

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd628.pdf pdf_icon

2SD629

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min.) CEO(sus) High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE (sat) C Complement to Type 2SB638 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD621, 2SD622, 2SD624, 2SD625, 2SD626, 2SD627, 2SD628, 2SD628H, TIP122, 2SD629H, 2SD63, 2SD630, 2SD631, 2SD632, 2SD633, 2SD634, 2SD635