2SD646 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SD646. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD646

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO3A-1

Аналоги (замена) для 2SD646

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

9.1. Size:102K toshiba
2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

9.2. Size:98K toshiba
2sd648.pdf pdf_icon

9.3. Size:92K toshiba
2sd641.pdf pdf_icon

9.4. Size:91K no
2sd640.pdf pdf_icon