2SD682. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD682

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD682

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD682 даташит

 9.1. Size:116K  toshiba
 2sd687.pdf pdf_icon

2SD682

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:78K  toshiba
 2sd688.pdf pdf_icon

2SD682

 9.3. Size:206K  inchange semiconductor
 2sd683.pdf pdf_icon

2SD682

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD683 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 500(Min.)@ I = 5A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High voltage and high power switching applications. Motor driver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 9.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd684.pdf pdf_icon

2SD682

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD678A, 2SD679, 2SD679A, 2SD68, 2SD680, 2SD680A, 2SD681, 2SD681A, BD139, 2SD682A, 2SD683, 2SD683A, 2SD684, 2SD684A, 2SD685, 2SD686, 2SD687