2SD723. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD723
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SD723
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD723 даташит
2sd723.pdf
isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD723 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR) CEO DC Current Gain -h = 50(Min)@ I = 0.5A FE C Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and
2sd725.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD725 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO
Другие транзисторы: 2SD717Y, 2SD718, 2SD718O, 2SD718R, 2SD72, 2SD720, 2SD721, 2SD722, 9014, 2SD724, 2SD725, 2SD726, 2SD727, 2SD728, 2SD729, 2SD729H, 2SD72K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor


