2SD770 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD770  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD770

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD770 даташит

 9.1. Size:231K  toshiba
 2sd777.pdf pdf_icon

2SD770

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:161K  nec
 2sd774.pdf pdf_icon

2SD770

 9.3. Size:166K  nec
 2sd773.pdf pdf_icon

2SD770

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd772.pdf pdf_icon

2SD770

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min.) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.6V(Max.) @I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD764, 2SD765, 2SD766, 2SD767, 2SD768, 2SD768K, 2SD769, 2SD77, 2N3906, 2SD771, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD773, 2SD774, 2SD776, 2SD777