2SD83 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD83 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD83 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD83

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

0.1. Size:96K fuji
2sd833.pdf pdf_icon

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

0.2. Size:101K fuji
2sd835.pdf pdf_icon

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

0.3. Size:125K fuji
2sd834.pdf pdf_icon

0.4. Size:25K no
2sd838.pdf pdf_icon