2SD834 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD834  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD834

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD834 даташит

 ..1. Size:125K  fuji
2sd834.pdfpdf_icon

2SD834

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
2sd834.pdfpdf_icon

2SD834

 9.1. Size:96K  fuji
2sd833.pdfpdf_icon

2SD834

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:101K  fuji
2sd835.pdfpdf_icon

2SD834

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

Другие транзисторы: 2SD827, 2SD828, 2SD829, 2SD83, 2SD830, 2SD831, 2SD832, 2SD833, D882, 2SD835, 2SD836, 2SD836A, 2SD836B, 2SD837, 2SD837A, 2SD837B, 2SD838